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文档简介
1.4 密堆积和配位数 1.4.1 密堆积 结合能最低。 紧密方式排列。 配位数:原子周围最近邻的原子数。 1.4.2 密堆积结构 1 六方密堆积 2立方密堆积:面心立方 1.4.3 最大配位数 相同原子组成:最大配位数12。 不同原子组成:最大配位数小于12。 根据对称性:配位数12,8,6,4,3 ,2。 1.4.4 致密度 致密度(堆积因子)晶胞中所有原子体积 之和与晶胞体积之比。 v1.5.1 立方晶系的布喇菲晶胞 v简立方晶格(sc) v体心立方晶格(bcc) Li、Na、K、Rb、 Cs、Fe v面心立方晶格(fcc) Fe、Au、Ag、Cu 、Al Cu 1s22s22p63s23p63d104s1 1.5 几种典型的晶体结构: 1.5.2 立方晶系的复式格子 v氯化钠型结构(示意图) v氯化铯型结构(示意图) v金刚石结构(演示) (示意图) v闪锌矿结构(演示) (示意图) v钙钛矿结构: (示意图) vC60结构 (示意图) 1.5.3 六方密积结构 1 六方密堆积(演示)(示意图) 基元由两个原子构成。配位数12 2 纤维锌矿(六方ZnS)型结构 (示意图) 可以看成是S原子和Zn原子构成的六方密集子晶 格沿六方轴的c方向移动3c/8套构而成。 可以看成是4 个简单六方晶格的嵌套而成,每个 原胞内包含两对离子。 族元素的氮化物,如BN、AlN、GaN、InN。 纤维锌矿是一种较少见的硫化锌的矿物形式,以法 国化学家Charles-Adolphe Wurtz的名字命名。 其晶体结构是六角形晶体系统的一员且包含有四面 等位的锌和硫原子形成ABABAB型结构。这种结构 与 of 六方碳或者六角的钻石的结构有很大程度的关 联。 纤维锌矿单胞常数为: a = b = 3.81 = 381 pm c = 6.23 = 623 pm 许多其他化合物可以同样有纤维锌矿的结构,包括 AgI、ZnO、CdS、CdSe、-SiC、GaN、AlN,以及 其它半导体。在大多数这种化合物中,纤维锌矿并 不是受人喜爱的大块晶体的形式,但是这种结构可 以在某些非晶体形式的材料中受到喜爱。 作业:1 v假设原子为刚性小球,则其堆积为下列晶格时 原子自身体积与其占据的空间体积之比为多少? vbcc晶格 (b) fcc晶格 v说明金钢石、闪锌矿晶胞和原胞中原子的数量 ? v简要说明PbS 和InSb的晶格结构以及它们的应用 范围 。 1.6 晶向指数和晶面指数 1.6.1 晶向及其标志 v晶列:通过晶格中任意两个格点连一条直线 ,该直线称为晶列。 v晶向:相互平行的一族晶列的共同方向称为 晶向。对于简约格矢量,即n,m,l为互质数。 其晶向记为nml. v晶向指数:用以标志晶列方向的参数。 v晶向指数的求法: (示意图)(常见晶向指 数) 立方晶系中一些常用的晶向指数 说明: v晶向指数代表一族晶列,而不指某一 特定晶列。(示意图) v负晶向指数表示: 。 v等效晶向表示: v六方晶系的表示方法。(示意图) 1.6.2 晶面与密勒指数 v晶面:同一平面上的格点构成一个晶面。 v晶格由无数互相平行且等距分布的晶面构 成。 v截距方程: v密勒指数:用以标志晶面的参数。 v密勒指数的求法:(示意图) v举例 求出晶面在坐标轴X、Y、Z上的相应截距p、q 、r ; 取截距倒数h,k,l,(h、k、l为晶面指数或密 勒指数); 将h、k、l化为没有公约数的整数比h:k:l= 将h、k、l加圆括号(hkl),即为晶面指数。 说明: v以格点为原点,以基矢为坐标轴,建立坐标 系。晶面在基矢上的截距为(x,y,z),则其倒数 连比可化为互质的整数(hkl),称为该族晶面的密 勒指数。 v实际工作中,常以晶胞(不是原胞)的基矢 a,b,c为坐标轴来建立坐标系,a,b,c不一定正交。 v密勒指数既表示一族晶面,也表示单个晶面 。 v负密勒指数表示: 。 v等效晶面表示:h k l v在立方晶系中密勒指数和晶向指数相同的晶 面、晶列互相垂直。 举例: y 2a x z 4a6a (326) 晶面间距的计算 v低指数的晶面晶面间距较大,高指数的则较小 。晶面间距越大,该面上原子排列愈密集,否则 越疏。 注意点: v本节的晶向、晶面及其指数主要针对布 喇菲格子而言。 v如以原胞基矢为坐标轴建立坐标系,则 晶向指数和晶面指数的通式一般为l1 l2 l3 、(h1 h2 h3)。 v密勒指数简单的晶面也是比较重要的晶 面。 作业:2 v试问面心立方晶格中,哪些晶向上原子的线密 度最大? v试证明在立方晶系中, 晶面(a,b,c)与晶向a,b,c 互相垂直。 v求立方晶系中(121)晶面的面间距。 v在简单立方晶格中试求密勒指数为(111)和( 121)的晶面之间的夹角。(晶面与晶向,矢量计算 法则) 氯化钠型结构 氯化钠型结构 复式面心立方结构:KCl、LiH、PbS 返回 氯化铯型结构 氯化铯型结构 返回 复式简立方结构:TlBr溴化铊、TlI(碘化钛)、 CuPd(钯铜)、AgMg、AlNi 晶胞和原胞 金钢石结构 1 金刚石 3 返回 金钢石结构 2 返回 金刚石和闪锌矿结构() 金刚石结构闪锌矿结构 闪锌矿结构又称为立方硫化锌 金刚石和闪锌矿结构(2) 复式面心立方结构:两个面心立方的布喇菲晶格沿对 角线平移1/4长度套构而成,但原子价键取向不同。 Si、Ge、GaAs、InP、InSb(用途?) InSb 探测器阵列 320240制冷 目前11所和211所已 做出来。 金刚石和闪锌矿结构(2) (100(100面面 ) ) (111(111面面 ) ) 返回 金刚石和闪锌矿结构(3) 返回 原胞示意图 金刚石和闪锌矿结构(4) 晶格常数:硅 0.543nm, 锗 0.566nm 密度: 5.001022cm-3, 4.421022cm-3 共价半径: 0.117nm, 0.122nm. 淡黄色透明 闪锌矿(金刚 石光泽). 返回 六方密积结构示意图1 返回 原子铺排方式:ABABAB 复式六方结构: Be、Mg、Ti、Zn 下一页 六方密积结构示意图2 返回 晶胞和原胞示意图 钙钛矿晶格结构(1) 钙钛矿类型结构(ABO3)的PZT (Pb ZrTiO3)是铁电随机存储 器中使用的最常见的材料。在应用和排除外电场后,PZT的 电极化( Zr/Ti 原子的上/下移动)仍然存在,从而带来了非 易失性的特质。因此,数据存储所消耗的电量非常小。 钙钛矿晶格结构(2) C60分子晶体 C60是由60个碳原子构成的球形32面体,即由12个五 边形和20个六边形构成。其中五边形彼此不相连, 只与六边形相连。每个碳原子以sp2杂化轨道和相邻 的3个碳原子相连,剩余的p轨道在C60分子的外围和 内腔形成键。 纤锌矿晶格结构(3-1) 纤锌矿晶格结构(3-2) 纤锌矿结构:六方硫化锌 纤锌矿晶格结构(3-3) 纤锌矿原胞 Chalcocite纤锌矿 纤锌矿晶格结构(3-4) 返回 晶向指数的求法示意图 返回 xy平面内晶向示意图(z=0) 说明:晶向指数代表一族晶列,而不指某一特定晶 列。 返回 晶面族 o 密勒指数的求法示意图 返回 晶面间距示意图 晶面截距公式推导 重要晶面 (100)(110) (111) 六方晶系的晶向指数和密勒指数 晶向晶向 ( )( )晶面晶面 在各轴上 的投影 晶体管的发明 1946年1月,Bell实验室正式成立半导体研究小组: W. Schokley,J. Bardeen、W. H. Brattain Bardeen提出了表面态理论, Schokley给出了实现放大器的基本设想, Brattain设计了实验; 1947年12月23日,第一次观测到了具有放大作用的 晶体管; 晶体管的发明 1947年12月23日 第一个点接触式 NPN Ge晶体管 发明者: W. Schokley J. Bardeen W. Brattain 获得获得19561956年年 NobelNobel物理奖物理奖 集成电路的发明 1952年5月,英国科学家G. W. A. Dummer第一 次提出了集成电路的设想。 1958年以德克萨斯仪器公司(TI)的科学家基 尔比(Clair Kilby,Intel创始人之一)为首的研究 小组研制出了世界上第一块集成电路,并于 1959年公布了该结果。 集成电路的发明 1958年世界上第一块集成电路:锗衬底上形成台面双极晶体管和 电阻,总共12个器件,用超声焊接引线将器件连起来。 获得获得20002000年年NobelNobel物理奖物理奖 集成电路的发明 Kilby 的专利(1964年) 1. 硅圆片工艺 晶片: 只含有极少“ 缺陷”的单晶硅体。 “切克劳斯基法”生长单晶硅 “切克劳斯基法”:将一 块称为籽晶的单晶硅浸入 熔融硅中,然后在旋转籽 晶的同时缓慢地把其从熔 融硅中拉起。结果,就形 成圆柱形的大单晶棒。 生长时,可在熔融硅中掺 入杂质来获得期望的电阻 率 。 直拉单晶硅 Silicon Ingots (400mm) 大单晶棒能切成薄的圆片(wafer) 在大多数CMOS技术中,圆片的 电阻率为0.05到0.1cm,厚度 约为500到1000微米。 chip 中科院半导体所研制成功我 国最重最长4英寸液封直拉法 砷化鎵单晶 中科院半导体所研制成功我 国最重最长6英寸液封直拉 法砷化鎵单晶 A 元 素 周 期 表 A H A A A A A A He LiBeBCNOFNe NaMg V B B B B B B AlSi
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