CMOS反相器的设计ppt课件

1、 CMOS反相器是反相器是IC设计中构造最简单，并且最具有设计中构造最简单，并且最具有代表性的器件。代表性的器件。 CMOS反相器包括的器件：反相器包括的器件：NMOS、PMOS。well (N阱阱): 1a . Minimum nwell width 1.8um1b . Minimum nwell spacing 2.5um1c . nwell enclosure of pdiff 2.0um1d . nwell enclosure of ndiff 1.0umdiffusion (分散层分散层):2a . minimum ndiff or pdiff width 1.0um2b . min

2、imum ndiff or pdiff spacing 1.0um2c . minimum ndiff to pdiff spacing 1.0um2d . minimum source/drain diffusion width 1.0um2e . Pmos device must be inside nwellpoly1 (多晶硅一层多晶硅一层)：3a . minimum poly1 width 0.6um3b . minimum poly1 spacing 1.0um3c . poly1 extension past ndiff or pdiff 0.4umMetal1(金属一层金属一层

3、)： 4a . minimum metal1 width 0.8um4b . minimum metal1 spacing 1.0umMetal2(金属二层)：6a . minimum metal2 width 1.0um6b . minimum metal2 spacing 1.0umcontact (接触孔接触孔)： 5a . minimum contact width 1.0um5b . minimum contact spacing 1.0um5c . ndiff or pdiff enclosure of contact 1.0um5d . metal1 enclosure of c

4、ontact 0.5um5e . poly1 enclosure of contact 0.5umvia (过孔过孔)： 7a . minimum via width 1.0um7b . minimum via spacing 1.0um7c . metal1 enclosure of via 1.0um7d . metal2 enclosure of via 0.5um1. 确定电路构造确定电路构造确定确定MOS管的宽长比。管的宽长比。宽长比过大宽长比过大幅员运用面积大幅员运用面积大宽长比过小宽长比过小幅员无法加工幅员无法加工思绪：思绪：1利用幅员规那么确定利用幅员规那么确定NMOS管的宽长

5、比。管的宽长比。2PMOS管宽长比为管宽长比为NMOS管的管的2倍。倍。2. 确定所运用的器件确定所运用的器件确定确定NMOS管的宽长比所需求运用的规那么：管的宽长比所需求运用的规那么： 长度：长度： minimum poly1 width 0.6um NMOS管最小长度为管最小长度为0.6um 宽度：宽度：ndiff or pdiff enclosure of contact 1.0ummetal1 enclosure of contact 0.5um minimum via width 1.0ummetal1 enclosure of via 1.0umNMOS管的最小宽度为：管的最小宽度为：3umNMOS管的宽长比：管的宽长比： (W/L)n=3um/0.6umPMOS管的宽长比管的宽长比 ： (W/L)p= (W/L)n*2=6um/0.6um功耗的计算采取估算方式。功耗的计算采取估算方式。详细的计算请参阅电路分析根底等根底必修课详细的计算请参阅电路分析根底等根底必修课P=W/T=P1*t/T=5V*200uA*1ns/1us=1u焦耳焦耳输出驱动才干的计算输出驱动才干的计算:I=U/R=2.5/3.3k=0.75mAu输入电流：输入电流：63uAu扇出：扇出