微电子肖特基势垒二极管

1、张伟槟 电信3班陆韩林 电信3班 the application of a typical semiconductor device2SBD 肖特基势垒二极管The typical application of the deviceSBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位The reasons for why the device has these applications1由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）

2、。2由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题3HBT 异质结双极型晶体管The typical application of the device异质发射结最好是采用缓变异质结。可以用作为HBT发射结的几种异质结（举例）：AlGaAs/GaAs异质结的晶格匹配很好，容易实现微波与光电器件及其IC；InP/InGaAs 或 InAlAs/InGaAs异质结的晶格能匹配，其中InGaAs的电子迁移率很高 (GaAs的1.6倍，是Si的9倍)；Si/SiGe异质结的晶格不匹配, 但可采用应变层 (厚度0.2m) 来进行弹性调节之，而且在很大程度上这种异质结器件的工艺与硅

3、工艺兼容，由于Si和SiGe的EgEv , 则Si/SiGe异质结对n-p-n型的HBT有利he reasons for why the device has these applications基区可以高掺杂 (可高达1020/cm3)，则基区不易穿通，从而基区厚度可以很小 (则不限制器件尺寸的缩小)；因为基区高掺杂，则基区电阻很小，最高振荡频率fmax得以提高；基区电导调制不明显，则大电流密度时的增益下降不大；基区电荷对C结电压不敏感，则Early电压得以提高；发射区可以低掺杂 ( 如1017/cm3)，则发射结势垒电容降低，晶体管的特征频率fT提高；可以做成基区组分缓变的器件，则基区中有

4、内建电场，从而载流子渡越基区的时间B得的高频、高速性能以及大功率等性能都较优良。4BJT 双极型晶体管The typical application of the device功率晶体管广泛应用于各种中小型电力电子电路作开关使用。GTR可用在如变频器、逆变器、斩波器等装置的主回路上。由于GTR无须换流回路，工作频率也可比晶闸管至少高10倍，因此它能简化线路，提高效率，在几十千瓦的上述装置中可以取代晶闸管。The reasons for why the device has these applications1、电流控制器件，电流电压放大能力强；2、电路多样，且参考资料多，电路形式非常灵活，适

5、应性强；3、成本低，购买方便。5CMOS 互补金属氧化物The typical application of the device应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。CMOS RAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能，而对CMOS中各项参数的设定要通过专门的程序The reasons for why the device has these applications允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强 静态功耗低隔离栅结

6、构使CMOS期间的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多6NMOS N型金属-氧化物-半导体The typical application of the deviceNMOS,会在漏极和源极间并联一反向的二极管，防止在应用时不让漏极的电压变得很负而损坏MOS管，一般在设计良好的电路中不会出现漏极电压变得很负的情况The reasons for why the device has these applications允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强 静态功耗低隔离栅结构使CMOS期间的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻

7、辑门的能力比其他系列强得多7MESFET 金属-半导体接触势垒场效应晶体管The typical application of the device化合物MESFET以分立器件形式或制成单片微波集成电路（MMIC）形式应用于以下领域超高频放大和震荡 微波低噪声放大 微波功率放大 微波开关dianl 抗辐射电路 The reasons for why the device has these applicationsGaAs-MESFET具有优良的微波、高速、大功率和低噪音等性能。与微波硅BJT相比，GaAs-MESFET不仅工作频率高 (可达60GHz)、噪声低，而且饱和电平高、可靠性高等；这

8、是由于与硅相比，n-GaAs外延材料的电子迁移率要大5倍、峰值漂移速度要大2倍，而且器件的衬底可用半绝缘GaAs（SI- GaAs ）以减小寄生电容。8HEMT 高电子迁移率晶体管The typical application of the device1微波低噪声放大2高速数字集成电路3高速静态随机存储器4低温电路 5功率放大6微波震荡The reasons for why the device has these applications 1电子迁移率和饱和速度高 2禁带宽度小 3有量子阱，有利于降低输出电导，提高功率转换效率9LED 发光二极管The typical application of the device1交流电源指示灯2 交流开关指示灯。3 交流电源插座指示灯4 保险管座指示灯5 LED广告招牌灯