第02章单片机

1、第2章 AT89S51单片机的硬件结构2.1 AT89S51单片机的硬件结构单片机单片机锁存器锁存器74LS373P0.0-P0.7ALEPSENP2.0-P2.48D8QOEA8-A12A0-A7D0-D7GEAOECEEPROM偶校验位程序计数器程序计数器指令寄存器指令寄存器指令译码器指令译码器时序控制逻辑电路时序控制逻辑电路条件转移逻辑电路条件转移逻辑电路返回指令寄存器IR指令译码器定时控制逻辑电路控制信号各相应部分执行指令RAM（EA=1）（EA=0）0FFFH0FFFH0000H0000HEPROM1000HFFFFH片内程序存储器片外程序存储器 程序存储器特殊特殊功能功能寄存寄存器

2、器SFR片内片内RAM片内片内RAM8032805280HFFH80HFFH00H7FHRAM0000HFFFFH片内数据存储器片外数据存储器 数据存储器分为分为片内片内和片外两部分，访问片内的还是和片外两部分，访问片内的还是片外的程序存储器，由片外的程序存储器，由EAEA引脚电平确定。引脚电平确定。 EA=1 EA=1时，时，CPUCPU从片内从片内0000H0000H开始取指令，当开始取指令，当PCPC值值没有超出没有超出0FFFH0FFFH时，只访问片内时，只访问片内Flash Flash 存储器，存储器，当当PCPC值超出值超出0FFFH0FFFH自动转向读片外程序存储器空自动转向读片

3、外程序存储器空间间1000H1000HFFFFH FFFFH 内的程序。内的程序。 EA=0 EA=0时，只能执行片外程序存储器（时，只能执行片外程序存储器（0000H0000HFFFFHFFFFH）中的程序。不理会片内）中的程序。不理会片内4KB Flash 4KB Flash 存储存储器。器。返回返回30H7FH：用户RAM区，只能进行字节寻址，用作数据缓冲区以及堆栈区。20H2FH：16个单元可进行字节寻址，也可以进行共128位的位寻址，位地址为00H7FH00H1FH：分4个区，共32个单元。是4组通用工作寄存器区，每个区包含个工作寄存器，编号为R0R7。工作区由PSW中的RS1、RS

4、0两位来选定。返回返回返回返回返回返回2.5 并行I/O端口 （2）两个三态的数据输入缓冲器，分别用于锁存器数据和引脚数据的输入缓冲；（3）一个多路选择开关MUX，一个输入来自锁存器，另一个输入为“地址/数据”。输入选择由“控制”信号控制。设置多路选择开关的目的，是因为P0口既作通用I/O口，又可作为系统的地址/数据线。由MUX实现锁存器输出和地址/数据线之间的选择。（4）数据输出的驱动和制电路，由两只场效应管（FET）组成，上面的那只场效应管构成上拉电路。P0口作为I/O端口使用时，多路开关的控制信号为0 字节地址为90H，位地址90H97H。 （1）对作为第二功能输出的引脚， 当作通用的I

5、/O口使用时，电路中的“第二输出功能”线应保持高电平，与非门开通，以使锁存器的Q端输出通路保持畅通。 当输出第二功能信号，该锁存器应预先置“1”，使与非门对“第二输出功能”信号的输出是畅通的，从而实现第二功能信号的输出。（a）不恰当的连接：高电平驱动）不恰当的连接：高电平驱动 （b）恰当的连接：低电平驱动）恰当的连接：低电平驱动图图2-12 2-12 发光二极管与发光二极管与AT89S51AT89S51并行口的直接连接并行口的直接连接C1和C2典型值通常选择为30pF左右。晶振频率的选择由单片机的规格与工程需要共同决定。晶振的频率越高，单片机的运行速度越快，对其他芯片的速度要求也越高，对PCB的工艺要求也越高。 建议在XTAL2端口外接一个阻值约为的4.7K10K的上拉电阻。关于复位电路，工程中需要注意的两点：1、PCB布线时，复位电路尽量接近单片机；2、为了有效地使单片机访问外围电路，单片机的设计复位时间要比外围电路长一些，或者，单片机的主程序里要安排一定的延时时间；（目的？）图图2-222-22 低功耗节电模式的控制电路 图2-23 特殊功能寄存器PCON的格式PCON寄存器各位定义：（1）SMOD：串行通信波特率选择（