同步整流电路的驱动方式综述

同步整流电的驱动方式述预部余一、问提出：为了适应电子、通信设备和大规模集成电路的供电要求，DC/DC模块电源输出电压越来越低，而输出电流却越来越大。传统的肖特基整流方式逐渐被同步整流方式所取代导通电阻MOSFET替常规肖特基整流续流二极管可以大大降低整流部分的功耗提高变换器的性能实现电源的高效率高功率密度同步整流已经相当流行。但是用代替肖特基二极管势必带来这样一个问题：同步整流MOS如何驱动？因为二极管不需要驱动MOS管是需要驱动的。对于同步整流管的驱动方式，本人收集了部分资料，做了总结，向各位专家学习。二、驱方式探讨：从总的来说同步整流管的驱动方式分为自驱和外驱。1、外驱用原边等驱动信号来控制整流管的开关优点是可减小整流管的死区，而且很容易实现时序。不足之处也是显然的，增加了电路的复杂性、成本和可靠性。*如单端正激谐振复位电路副边续流管可以由原边信号驱动（如图也可以整流管由控制开通，续流管由控制开通。这种驱动方式死区很小。图1*例如图2，这种电路是为了设计原副边的时序。Driver1为正时，导通，副边Qs2于工作状态。由于Qs12导通，Qs1处于关断状态死区时间Driver1和Driver2为0则导通，、的关断，那么和Qs2导通，工作在续流状态。当Driver2为正时，导通，关断，延时导通，这样处于工作状态，处于关断状态。同样死区时间Qs1和同时续流。可见通过外驱方式实现了原副边时序，使得在死区时间整流管处于工作状态，就不会经过整流管的体二极管续流，从而减小了续流损耗。

图2、驱优点利用辅助绕组或者副边工作绕组进行自驱电路简单，成本节约。缺点：存在死区，驱动波形不好，驱动电压和时序不好安排。*如单端正激谐振复位电路，如果副边采用完全自驱方式，就会存在死区，在该时间输出电流经过续流管的体二极管续流，影响效率且驱动波形不好图图可见驱动电压波形不平直，而且在toff有一部分时间驱动电压为零。左：原边MOS管压右副边续流管的驱动电压图*例如，～75V输入，12V30A输出正激路，如果最大占空比为0.5那么匝比可得为。如果驱动绕组设1在75V输入时驱动峰值稳态为75/3=25V，就超过了MOS的门极驱动电压（一般为＋－20V。如果用工2/3*(36~75)=24~50V，同样超过门极驱动电压范围。这种情况匝比不好选择。三、对驱存在的问解决办：1、有源篏法：把篏位电容稍微取大一点，可以使原MOS管的变得平直，那么副边续流管的驱动电压就平直，因此减小死区损耗。2门极电荷存储法把整流管门极的驱动电荷存储着保持驱动电压不变直到换相时才泄放掉门极的存储电荷样可以减小死区。如图4。图4左边需要外加拉电荷电路。图4右边为外加单绕组自驱

方式。当整流管工作时，续流管被并在续流管GS之间的二极管篏位为-0.7V，同样续流工作时，整流管被并在整流流管GS之间的二极管篏位为-，死区时间门极电荷平分在整流管和续流管的门极。图3作绕组分压方式方式可以解决工作绕组做驱动绕组电压高的问题。因为MOS管的之间相当于一个电容，如果在极串联电容，则在之间得到的为加在两个电容之间的分压。如图。图设