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文档简介

DIT(T-SCLC)理论基础说明GSI/HTTR2013

Oct.说明1.DIT:DarkInjectionTransient或

T-SCLC:Transient-SCLC或

DI-SCLC:DarkInjection-SCLC2.当注入电压比较高时，有效减缩了注入载子与电极之间距离而增强电场强度，因此短时间内形成高电流密度峰值。随着长时间此峰值衰退达到稳定平衡SCLC值电流密度。将峰值与SCLC值相比，提供了极有价值Trap动态分析。3.DIT与TEL，IS(AS)都是瞬态量测技术，不同可以决定载子迁移率与TOF量测结果相符。更进一步提供作为分析有机材料器件动能机制（Trap,Accumulation,Recombination,Quench,Leakagecurrent）4.比较香港Baptist大学与英国NPL对于DIT文章，从正反两面都可以明确指出目前DIT量测技术，雖有进化的空间，但都能与TOF保持高度相符，迁移最大最小值落在两倍之内，具备高可靠性。5.我们建议针对迁移率提取及有机器件材料动態分析，可以採取多种瞬态量测技术(TEL,DIT/T-S

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