2025年中职集成电路（半导体器件基础）试题及答案

2025年中职集成电路（半导体器件基础）试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______第I卷（选择题，共40分）答题要求：本卷共20小题，每小题2分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。1.半导体的导电能力介于A.导体和绝缘体之间B.超导体和导体之间C.超导体和绝缘体之间D.以上都不对2.纯净的半导体称为A.本征半导体B.杂质半导体C.导体D.绝缘体3.在本征半导体中加入微量的五价元素可形成A.P型半导体B.N型半导体C.本征半导体D.绝缘体4.下列关于P型半导体的说法正确的是A.多子是电子B.多子是空穴C.少子是电子D.少子是空穴5.二极管的主要特性是A.单向导电性B.双向导电性C.绝缘性D.导电性6.当二极管外加正向电压时，其正向电流是由A.多数载流子扩散形成B.少数载流子扩散形成C.多数载流子漂移形成D.少数载流子漂移形成7.二极管的反向电流随温度的升高而A.增大B.减小C.不变D.无规律变化8.硅二极管的死区电压约为A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.1V9.锗二极管的死区电压约为A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.1V10.当二极管两端的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.以上都不对11.三极管有三个工作区域，分别是A.饱和区、放大区和截止区B.导通区、放大区和截止区C.饱和区、导通区和截止区D.以上都不对12.在三极管的放大区，发射结处于A.正向偏置B.反向偏置C.零偏置D.以上都不对13.在三极管的放大区，集电结处于A.正向偏置B.反向偏置C.零偏置D.以上都不对14.三极管的电流放大倍数β等于A.Ic/IbB.Ib/IcC.Ie/IbD.Ib/Ie15.当三极管的基极电流增大时，集电极电流A.增大B.减小C.不变D.无规律变化16.场效应管是一种A.电流控制型器件B.电压控制型器件C.功率控制型器件D.以上都不对17.绝缘栅型场效应管的输入电阻A.很高B.很低C.中等D.不确定18.增强型MOS管在栅源电压为零时，漏极电流A.很大B.很小C.为零D.不确定19.耗尽型MOS管在栅源电压为零时，漏极电流A.很大B.很小C.为零D.不确定20.集成运算放大器的输入级通常采用A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路C.差分放大电路D.以上都不对第II卷（非选择题，共60分）一、填空题（每空1分，共10分）1.半导体的导电性能受______、______和光照等因素的影响。2.本征半导体中自由电子和空穴的数目______。3.在N型半导体中，______是多数载流子，______是少数载流子。4.二极管的伏安特性曲线包括______区、______区和______区。5.三极管的三个电极分别是______、______和______。二、判断题（每题2分，共10分）1.半导体的导电能力比导体强。（）2.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）3.二极管只要加正向电压就一定会导通。（）4.三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏。（）5.场效应管的跨导是指漏极电流的变化量与栅源电压的变化量之比。（）三、简答题（每题10分，共20分）1.简述半导体的特性及分类。2.说明二极管的单向导电性是如何实现的。四、分析题（每题10分，共20分）材料：如图所示的三极管放大电路，已知三极管的β=50，Vcc=12V，Rc=3kΩ，Rb=500kΩ，试分析：1.当输入电压vi=0.2V时，三极管处于什么工作状态？2.计算此时的集电极电流Ic和输出电压vo。五、设计题（10分）设计一个用三极管组成的音频放大电路，要求画出电路图，并说明各元件的作用。答案：第I卷：1.A2.A3.B4.BC5.A6.A7.A8.C9.B10.C11.A12.A13.B14.A15.A16.B17.A18.C19.D20.C第II卷：一、1.温度、杂质2.相等3.电子、空穴4.正向导通、反向截止、反向击穿5.发射极、基极、集电极二、1.×2.×3.×4.√5.√三、1.半导体特性：导电能力介于导体和绝缘体之间，其导电性能受温度、光照、杂质等影响。分类：本征半导体和杂质半导体，杂质半导体又分为P型半导体和N型半导体。2.二极管由一个PN结组成，当外加正向电压时，外电场与内电场方向相反，使阻挡层变薄，多数载流子扩散形成较大的正向电流，二极管导通；当外加反向电压时，外电场与内电场方向相同，阻挡层变厚，多数载流子难以通过,只有少数载流子产生很小的反向电流，二极管截止，从而实现单向导电性。四、1.首先计算三极管的静态工作点：IB=(Vcc-UBE)/Rb=(12-0.7)/500kΩ≈22μA，IC=βIB=50×22μA=1.1mA，UCE=Vcc-ICRc=12-1.1×3=8.7V。当vi=0.2V时，UBE=vi+0.7=0.9V，IB增大，IC增大，UCE减小，三极管处于放大状态。2.此时IC=βIB=50×[(0.2+0.7)/500kΩ]≈90μA，vo=Vcc-ICRc=12-0.09×3=9.3V。五、电路