CN117995753B 堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备 （北京大学）

上沉积第一绝缘材料，以形成第一半导体材料第二半导体材料层中覆盖第一半导体材料层的第二半导体材料层中覆盖第二有源结构的一部2在所述第一晶体管朝向所述第二有源结构的第一表面在所述第二有源结构和所述第一半导体材料层上沉积第二绝缘去除所述第二半导体材料层中覆盖所述第一半导体材料层的一部分去除第二半导体材料层中覆盖所述第二有源结构的一部分，以暴露所述第二有源结去除所述第二半导体材料层中覆盖所述第一半导体材料层的一部5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述对所述隔离有源结构进行氧化处去除所述第二半导体材料层中覆盖所述第一半导体材料层的一部3在所述第二表面和所述第一表面的第一区域上沉积第二8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述对所述隔离有源结构进行氧化处第二晶体管；所述第一晶体管的第一有源结构和所述第二隔离介质结构，所述隔离介质结构用于隔离所述第一有源结构和所述第二有源结构，通过对位于所述第一有源结构和所述第二有源结构之间的隔离有源结构进行氧化处理得456[0031]第一种方案，在同一个衬底上制作N沟道场效应晶体管(Nfieldeffect管极性固定，必须依赖两层晶体管才能组成基本的互补型金属氧化物半导体电路7间需要进行电学隔离，目前的隔离方法包括：(1)使用SOI衬底，利用SOI衬底中的埋氧层本申请实施例提供的堆叠晶体管的制备方法进8体管)，且第一晶体管的第一有源结构和第二晶体管的第二有源结构是通过同一道刻蚀工应变材料上形成第一源漏结构；在第一有源结构和第供物理支撑，有效防止在制备第二晶体管的过程中第一晶体管受到外力而破碎的情况发[0055]在本申请实施例中，第一绝缘材料可以包括但不限于：无定形碳(amorphous9介质结构可以用于隔离第一有源结构和第二[0066]在本申请实施例中，由于隔离介质结构位于第一有源结得隔离介质结构可以实现第一晶体管的有源区和第二晶体管的3N4本申请实施例在刻蚀处理中采用的溶剂可以根据实际情况进行选择，并不限于上述DHF溶[0082]在一些实施例中，在第一凹槽中和浅槽隔离结构的上方蚀，去除第一半导体材料层上覆盖的SiN材料和第二有源结构的第二表面上的部分SiN材异性刻蚀，去除第二有源结构的第二表面上和第一半导体材料层上的SiN材料，刻蚀完成提供的堆叠晶体管进行说明。图2为本申请实施例中堆叠晶体管的第一种结构示意图。其[0095]参见图2所示，堆叠晶体管10包括第一晶体管11、第二晶体管12和隔离介质结构[0096]在本申请实施例中，由于第一晶体管11的第一有源结构111与第二晶体管12的第二有源结构121是通过同一道刻蚀工序形成的，所以可以实现第一晶体管11和第二晶体管[0106]第七步：在第一凹槽24中和浅槽隔离结构的第二部分232上沉积SiN材料(图中未[0110]第十步：在第一半导体材料层31上和第二鳍状结构222的表面，原子层沉积一层中远离第一鳍状结构221的表面上的SiN材料的厚度比其余表面的SiN材料的厚度大(参见[0120]上述图3A至图3F所示的制备工艺仅为本申请实施例中的堆叠晶体管的其中一种衬底21，暴露第二鳍状结构222远离第一鳍状结构221的表面(具体工艺可参见上述堆叠晶[0125]第四步：在第一半导体材料层31上和第二鳍状结构222的表面，原子层沉积一层面上的SiN材料以及第一半导体材料层31上的S一一[0128]第七步：在第二鳍状结构222中远离第一鳍状结构221的表面上以及浅槽隔离层233上的一部分区域(不与隔离有源结构223接触的区域)上沉积SiN材料，形成第三半导体[0131]第十步：形成第二晶体管12(具体工艺可参见上述堆叠晶体管的第一种制备过程堆叠晶体管的制备方法与上述实施例中堆叠晶体管为鳍式场效应晶体管的制备方法相同，如：扫描电子显微镜(scanningelectronmicroscope，SEM)、透射电子显微镜(transmissionelectronmicroscope，TEM)、扫描透射电子显微镜(scanning实施例对此不作具体限定。并且通过TEM切片可以观察到隔离介质结构的材料(即SiOx)的技术人员可以将本申请中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结