CN118969038B 一种读写电路、方法以及阵列 （青岛海存微电子有限公司）

路117号1栋1605室（原黄岛区科教二本申请提供了一种读写电路、方法以及阵2所述多个磁隧道结顺序排布于所述自旋轨道矩层上，且所述多个磁隧所述自旋轨道矩层两端分别连接所述写位线和所述源线，所述第一开所述第二开关管用于控制所述读位线对所述多个磁隧道结施加读数据读取时，通过控制所述第一开关管和所述第二开关管的导通所述第一读取数据用于获取所述多个磁隧道结在并联状态下的第获得第一读取数据后，所述第一开关管和所述第二开关管导通所述第二读取数据用于获取所述第一读取数据相同时多个所述磁隧道结的具体存储所述写位线对所述自旋轨道矩层再次施加与所述第一写入电压同方向的第二写入电整所述反铁磁体漏磁场的大小和方向以调控翻转所述磁隧道结所需的阈值翻转电压的大其中，若干个所述读写电路中的第一开关管连接于同一写位线，若干个所述读写电路中的第二开关管连接于同一读位线，数据写入时，所述第二开关管导通，通过控制所述第一开关管在3数据读取时，通过控制所述第一开关管和所述第二开关管的导通述第二开关管导通，通过所述读位线和所述源线向所述多个磁隧道结提供第一读取电压，所述第一读取数据用于获取所述多个磁隧道结在并联状态下的第获得第一读取数据后，所述第一开关管和所述第二开关管导通所述第二读取数据用于获取所述第一读取数据相同时多个所述磁隧道结的具体存储4旋轨道矩(SpinOrbitTorque,SOT)效应的磁隧道结称为SOT_MTJ，其结构包括底部的自物半导体场效应晶体管(MOS)对其读写通道致其中一个写入方向下MOS栅极和源极压差较小，影响其导通性。而采用传输门代替单个[0004]为解决上述问题，本领域技术人员提出采用多个MTJ共享同一个自旋轨道矩层的旋轨道矩器件还能结合电压调控磁各向异性(VoltageControlledMagnetic多权重值的技术方案中电阻并联结果与MTJ在SOT上的位置无关，仅与高低阻态数目有关，5方向与磁隧道结所需的阈值翻转电压的大小和方向具有6[0041]图2为本申请实施例提供的一种磁隧道结从P阻态转换到AP阻态对应的不同漏磁[0042]图3为本申请实施例提供的一种磁隧道结从AP阻态转换到P阻态对应的不同漏磁[0043]图4为本申请实施例提供的一种SAF净磁矩为0时，写入电压与MTJ阻态之间的关[0050]图11为本申请实施例提供的一种NAND型磁存储单元的写入结构以及对应的写入7[0056]基于自旋轨道矩(SpinOrbitTorque,SOT)效应的SOT_MTJ为三端口器件，包括向异性(VoltageControlledMagneticAnisotropy,VCMA)写入机理，对MTJ进行随机选[0059]基于此，本申请的技术构思为：基于VCMA（Voltage_ControlledMagnetic8[0060]下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述[0070]示例性的，上述第一开关管M1可以为双极性晶体管（BJT，BipolarJunctionTransistor）、场效应晶体管（FET，Field_EffectTransistor）、绝缘栅双极型晶体管定。9[0075]示例性的，该第二开关管M2可以为双极性晶体管（BJT，BipolarJunctionTransistor）、场效应晶体管（FET，Field_EffectTransistor）、绝缘栅双极型晶体管定。以产生VCMA效应。在磁隧道结顶部的VCMA效应的影响下可以对多个磁隧道结实现数据写[0079]以上内容对本身请实施例的读写电路的结构和数据的读从靠近写位线WBL的磁隧道结开始翻转，直至所有磁隧道结均翻转到同一阻态，如第一阻[0094]其中，翻转磁隧道结的阈值翻转电压的大小和方向可以通过调节磁隧道结中的场方向为某一方向时，对磁隧道结施加大于阈值电压的写入电压可以将MTJ翻转到目标阻出了该NAND型磁存储单元进行数据读取的结构以及第一读取数据可以表征的阻态。具体的个数，如两个MTJ均为高阻态的AP/AP态、两个MTJ中一者处于高阻态一者处于低阻态的[0104]获得第一读取数据后，第一开关管和第二开关管导通，控制读位线RBL和写位线WBL两端的第二读取电压大小相同，基于源线SL处的电流数值大小和磁隧道结的位置分布写位线WBL的磁隧道结为阻值较低的P态;当电流I3数值大于预设值时，越靠近源线SL的磁二读取数据，第二读取数据用于获取第一读取数据相同时多个磁隧道结的具体存储状态。故本申请使用两步读取的方式区分了相同并联电阻下多个磁隧道结不同的位置分布状态，持低电压，读位线RBL/写位线WBL与源线SL之间的电阻为N个磁隧道结和自旋轨道矩层SOT[0112]作为另一个具体的示例，参照图11，对自旋轨道矩层SOT从左往右施加写入电压MTJ1和磁隧道结MTJ2均翻转到AP态，计为权重0。当写入电压介于Vc3和Vc4时，磁隧道结[0119]第二选通信号线与第二开关管的控制端连接，用于控制第二开关管的导通或关[0124]若干个读写电路20中的第二开关管M2可以连接于同一读位线RBL，通过第二开关[0129]若干个读写电路中的第一开关管M1的控制端连接的第一选通信号线WWL0中的控[0131]本申请实施例可以通过激活第二选通信号线RWL0，控制对应的第二开关管M2导M2连接到不同的第二选通信号线RWL0，这样可以选择性地激活特定的存储单元进行读操