实验6：显示阵列的操作

1、实验6：显示阵列的操作一、实验目的n通过实验学习使用F2812 DSP的扩展端口接收外围设备信息的方法，了解发光二极管阵列的原理及控制编程方法二、实验设备n计算机、CCS3.3开发软件nICETEK- F2812 -A-EDU实验箱三、实验原理n1.EMIF接口：nF2812的扩展存储器接口(EMIF)用来与大多数外围设备进行连接，典型应用如连接片外扩展存储器等。这一接口提供地址连线、数据连线和一组控制线。ICETEK- F2812 -A将这些扩展线引到了板上的扩展插座上供扩展使用n2.发光二极管显示原理：三、实验原理三、实验原理n3.显示原理nDSP须将显示的图形按列的顺序存储起来(8*8点

2、阵，8个字节，高位在下，低位在上)，定时刷新控制显示。三、实验原理n4.显示过程：n1.准备字库 n2.初始化：打开设备，清缓冲区，清屏 n3.写缓冲区n4.发送写命令送控制端口n5.写数据到端口n字库：ledkey108n缓冲区：ledbuf8n列命令控制字： ledx8三、实验原理n4.具体操作n1）准备字库 n“0-9”10个数字,每个数字由8个8位字符构成8*8阵列nledkey108=nn0 x00,0 x00,0 x7C,0 x82,0 x82,0 x82,0 x7C,0 x00,/0n0 x00,0 x00,0 x00,0 x84,0 xFE,0 x80,0 x00,0 x00,

3、/1n0 x00,0 x00,0 x84,0 xC2,0 xA2,0 x92,0 x8C,0 x00,/2.n 0 x00,0 x00,0 x4C,0 x92,0 x92,0 x92,0 x7C,0 x00n;三、实验原理n2）初始化n打开阵列设备n在I/O端口CTRLR写入控制字0 xc1;nCTRLR=0 xc1;n清缓冲区ledbufnledbufnCount=0 x0ff; / 显示为空白nledxnCount=(nCount4); / 生成显示列控制字n清屏nRefreshLEDArray();三、实验原理n3）写缓冲区n将显示数字的对应字库写入数据缓冲区n例：“0” n字库：led

4、key18=0 x00,0 x00,0 x7c,0 x82,0 x82,0 x82,0 x7c,0 x00/0三、实验原理n3）写缓冲区n写入缓冲区ledbuf8void SetLEDArray(int nNumber) / nNumber:需显示的数int i;for ( i=0;i8;i+ )ledbufi=ledkeynNumber7-i;/取反显示三、实验原理n3）显示n将缓冲区的数据写到控制寄存器端口 void RefreshLEDArray()int i;for ( i=0;i【Reset CPU】n4.打开工程文件：C:ICETEK-F2812-A-EDUlabDSP281x_exampleslab0402-LedarrayLedArray.pjt浏览main.c文件的内容，理解各句含义四、实验步骤n5.编译下载程序。n6.运行程序观察结果：可以观察到发光二极管阵列显示从0-9的计数n7. 结束程序运行，退