模电总复习(2015.6.8)通信工程专业

总复习计算器每人一个选择、填空、计算、判断、画波形步骤：公式=代入数据=结果第2章基本运算电路1、掌握理想运放处于深度负反馈条件下两原则：虚短:v-=v+

，虚断:i-=i+=0

。2、掌握基本运算电路（1）反相比例运算电路（2）同相比例运算电路（3）反相加法运算电路减法运算电路（叠加定理或虚短虚断法）（4）积分电路vi=Vi(常数)时，注意：运算电路中，若运放的|vo|>|±Vos|(饱和电压），

则vo

=±Vos(根据vo的正负取Vos正负）（5）微分电路3、会分析各级运放组成的是什么运算电路,

计算各级运放vo以及多级vo

。如习题册P19—P24,书,笔记3章1、杂质半导体

N型半导体

P型半导体多子：空穴；多子：自由电子3.1原则一：单向导电性V阳>V阴，D管正偏，导通V阳<

V阴，D管反偏，截止原则二：优先导通原则多二极管电路中，(V阳-V阴)

大的，优先导通

3.3二极管D管（特点：单向导电性）D习题册P1-5书97页3.4.5

（书P863.4.12）1.D管理想模型D管正偏，导通相当于短接线D管反偏，截止；相当于断路

2.D管恒压降模型导通电压

VONSi：0.7VGe：0.2Vv>VON,

D管正偏导通v<VON,

D管反偏截止3.42.5稳压二极管特点：DZ反偏工作，且工作在反向击穿状态。符号DZ+VZ

—

DZ管的稳定电压

放大区:发射结正偏，集电结反偏。截止区：

发射结正偏，集电结正偏饱和区:

发射结反偏，集电结反偏。1、（1）三极管三种工作状态条件：第4章（2）会根据三极管各电极电位，判三极管工作状态

(放大、截止、饱和)看笔记例题2、图解法

（1）直流负载线

VCE=VCC－ICRc，两点式(VCC，0)(0,VCC/Rb)

交流负载线必过Q点（2）分析电路参数对Q点影响。改变温度、VCC

、Rb、

Rc，Q点如何变（3）分析失真：饱和、截止

Q↑

，Q

。

如何消除失真（调Rb

）3、计算

基本放大电路固定偏置分压式偏置（有电压、电流放大，

b入c出，vo与vi反相）；共射放大电路VB→IE→IC→IB→VCE(1)静态分析画直流通路：电容C断开，估算Q点（IB、IC、VCE）固定偏置共射：分压式偏置共射：IB→IC→VCE（如书作业,笔记）P190,习题册P11,12(2)动态分析会画交流H参数小信号等效电路（电容C短，VCC接地+T管的H参数小信号模型）会求AV

、AVS

、Ri、Ro

*NPN、PNP交流小信号模型一样短路，RL开路共基放大电路（e入c出，vo与vi同相无电流放大、有电压放大）；共集电极电路（射极输出器）（无电压放大、有电流放大

b入e出，

vo与vi同相，

Av≈1，vo≈

vi

）；共集、共基定性理解第5章场效应管增强型耗尽型JFET结型MOSFET绝缘栅型1、FET会由管子的特性曲线判FET场效应管类型N沟道P沟道如作业：书251页5.3.5,（P1554.8.5）（1）vGS极性单一极性增强型MOSFET

JFET（耗尽型）VT

(开启电压)：VP

（夹断电压）：可正可负耗尽型MOSFETVP（2）看VT

、VP

VP

<0,

N沟道>0,

P沟道VT<0,

P沟道>0,

N沟道方法：正记忆反记忆第6章差分放大电路放大差模信号，抑制共模信号，抑制零点漂移1、计算（1）静态分析（估算法估算Q点）（接共用Re）或(接带内阻r0的恒流源I0)（2）会画差模信号输入的交流小信号的等效电路(方法：直流电压源短路，差模中共用Re或共用恒流源内阻r0短路）（3）会求差模电压放大倍数Avd

、Rid、Rod

双端输出单端输出*差模电压放大倍数Avd

转换成求单管的AV双端输出：c1-c2间为vo(vo1–

vo2)单端输出：c1端为vo(vo=vo1),c2端为vo(vo=vo2)注意：带RL与不带RL的Avd的公式

如作业：书316页6.2.2，6.2.5，（P3397.2.7，7.2.10）习题册P16双端输出：单端输出(c1端出)：单端输出(c2端出)：

Rid(具体电路分析)

Rod

=2Rc(双端输出)Rod

=Rc(单端输出)差模电压放大倍数AVD

转换成求单管的AV第7章反馈放大电路1.会找反馈支路，判断反馈组态、极性（方法见笔记）串联反馈并联反馈入侧电压反馈电流反馈出侧瞬时极性法：正反馈负反馈3、负反馈对放大电路性能的改善，会根

据要求引入适当类型的负反馈

2、对负反馈电路，会估算深度负反馈条件下的闭环增益，定性分析Ri、Ro如书作业,笔记P375P377(P388)习题册P27—P30串联负反馈——增大Ri并联负反馈——减小Ri电压负反馈——减小Ro

，稳定Uo电流负反馈——增大Ro

，稳定Io负反馈对放大电路性能的改善1、会分析甲乙类双电源互补对称功率放大电路

甲乙类单电源互补对称功率放大电路第8章功率放大电路电路原理：VBE扩大电路作用（提供适当偏压,使T1、T2静态处于微导通状态，即工作于甲乙类状态,克服交越失真）T1：NPN，T2：PNP（互补射极输出器）2、双电源（两电源+VCC

、–VCC

），无CL

与RL接单电源（单电源VCC，有C与RL接)第9章信号产生电路1、电路振荡的幅度条件、相位条件

AF=a+

f=2n

(满足正反馈)2、会用相位条件、

幅度条件判RC正弦波振荡电路能否振荡，会求其振荡频率f0P473起振：要求AF

>

1，Rf

>

2R1稳振：要求AF

=

1，Rf

=2R13、单门限电压比较器（开环），会计算vo。开环分析方法：v+>v–

时，vo=+Vosv+<v–

时，vo=–Vos加稳压管限幅后，vo为多少vo

=

+VZ或vo=–VZv+=v–时，vo

高低电平转换此时的vi值（Vth

）——门限电压第1