光电成像原理与技术Chapter8-固体成像器件成像原理及应用

第八章固体成像器件成像原理及应用8.1.CCD的物理基础与工作原理8.2.CCD的结构与特性8.3.CCD成像原理8.4.增强型（微光）电荷耦合成像器件8.5.CCD的应用8.6.CMOS成像器件及其应用2023/1/318.1.CCD的物理基础与工作原理CCD(Charge-CoupledDevices)电荷耦合器件：基于MOS(金属－氧化物－半导体）电容器在非稳态下工作的一种器件。稳态下的MOS电容器非稳态下的MOS电容器－电荷存储原理

MOS电容器的基本结构：硅片上生长一层SiO2层，厚度为dox,蒸镀上一层金属铝为栅电极，VG为加在栅电极上的偏压;半导体作为底电极,称为衬底,由于电子迁移率高,多数CCD选用P型硅作衬底。2023/1/31稳态下的MOS电容器VG不为零：VG<0，电场使Si表面形成多数载流子的积累层，此为“积累状态”。VG为零时，不存在空间电荷区，能带为平坦的，此为“平带状态”2023/1/31稳态下的MOS电容器VG>0，Si表面出留下一层离化的受主离子，此为多数载流子“耗尽状态”。VG>Vth>0，反型态：当VG超过某一阈值Vth时，表面处禁带中央能级Ei降到EFs以下，导带底离费米能级更近，表明电子浓度超过空穴浓度，已有P型变为N型，这种状况为“反型状态”。显然，从反型层到半导体内部之间还夹有耗尽层。2023/1/31稳态下的MOS电容器VG>Vth>0，反型态：弱反型：当表面势Vs增加到等于体内费米势时，表明表面处电子浓度开始超过空穴浓度，此为“弱反型”。强反型：表面处反型载流子浓度已达到体内多数载流子浓度。2023/1/31稳态下的MOS电容器－强反型状态表面处反型层载流子浓度ns可表示为右式：其中n0，p0为P型半导体内热平衡时的电子浓度和空穴浓度。按照费米能级的定义，有p0的表达式：按照反型层发生的条件ns≥p0，有表面电势Vs与体内费米能级之间的关系，如认为P型半导体内的多子浓度主要由半导体衬底掺杂浓度NA来决定，可得到半导体发生强反型的条件:2023/1/31稳态下的MOS电容器－强反型状态在强反型状态下，表面电子浓度随Vs增加而按指数规律增长，而Vs随耗尽层厚度xd呈二次函数增加。2023/1/31稳态下的MOS电容器－强反型状态一旦出现反型层，耗尽层厚度xd达到最大值，且不随VG而变化。表面出现强反型状态时对应外加偏压VG为阈值电压（开启电压），常用Vth表示。由于反型层中的电子实际上是被限制在表面附近能量最低的一个狭窄区域，故称为反型层沟道。P型半导体的表面反型层由电子构成，故称N型沟道。2023/1/31非稳态下的MOS电容器

－电荷存储原理问题的关键：在电压加到栅极上的瞬间，在介电弛豫时间(10-12s)之内，半导体中只有多数载流子空穴能跟上变化，少子电子取决于产生－复合过程（还没来得及生成），故尽管VG>Vth，反型层还没形成，2023/1/31非稳态下的MOS电容器

VG的大部分压降Vs落在半导体表面的空间电荷区上，只有小部分落到SiO2上。故而，该形成反型层的空间上没有电子，只有空的电子势阱，也就是说表面还处在载流子耗尽状态，这种耗尽层从表面一直延伸到半导体内深处，此状态为“深层耗尽状态”。－这实际上是MOS电容器处于热非平衡状态。2023/1/31随着时间的推移，热激发产生的电子将进入势阱，逐渐恢复热平衡，达到稳态，形成强反型层。这个时间T，称为存贮时间。非稳态下的MOS电容器2023/1/31非稳态下，Vs特大，形成的电子势阱eVs特深。如此时有外界光信号或电信号激励或注入，即在空间电荷区产生电子－空穴对或注入电子，空穴被驱至耗尽层外，电子则逆电场运动进入势阱存贮起来。势阱满了，就不能再积累了。CCD就是利用MOS电容器上述过程来存储信号、转移信号的，这些过程必须在非平衡状态下工作。非稳态下的MOS电容器

－电荷存储原理－信号的感生与存贮。2023/1/318.2.CCD的结构与特性耗尽层的耦合CCD电荷传输原理CCD结构特性CCD的物理性能开启电压满势阱时信号电荷的容纳量工作频率转移效率噪声暗电流功耗2023/1/318.2.CCD的结构与特性计算机计算用CCD模型表面势Vs沿x方向的分布耗尽层的耦合：当两个金属栅极彼此足够靠近时，其间隙下表面势将由两栅极上电位决定，从而形成两个MOS电容器下耗尽层的耦合，--使一个MOS电容器中存储的信号电荷能转移到下一个MOS电容器中，通常电极间隙取0.1~0.2μm2023/1/318.2.CCD的结构与特性CCD电荷传输原理电荷包：势阱中存贮的自由电荷电荷转移：利用耗尽层耦合的原理，将电荷包有规律地传递出去－－通过控制相邻MOS电容器栅压的高度来调节势阱的深浅，使信号电荷由势阱浅的位置流向势阱深的位置。转移要按照确定的方向：由不同相位上的电压脉冲按照严格的时序被控制转移要沿确定的路线：工艺设计时，要考虑好沟道和沟阻，电荷转移通道为沟道，限制沟道的部分为沟阻。2023/1/31三相CCD的俯视图2023/1/318.2.CCD的结构与特性转移电极结构：通常按照每位采用的电极相数来划分。三相电极结构（三相CCD）：二相CCD电极结构：四相CCD电极结构虚相CCD结构转移沟道结构：表面沟道（表面CCD－SCCD）体内(埋)沟道(埋沟CCD－BCCD)输入输出结构2023/1/318.2.CCD的结构与特性三相时钟脉冲有一定的交叠，在交叠区，电荷包源势阱与接受势阱同时共存，以保证电荷在这两个势阱间充分转移，三相单层铝电极结构CCD2023/1/318.2.CCD的结构与特性采用一层多晶硅的三相电阻海结构采用三层多晶硅的三相交叠栅结构三相时钟脉冲有一定的交叠，在交叠区，电荷包源势阱与接受势阱同时共存，以保证电荷在这两个势阱间充分转移时钟脉冲的低电平必须保证沟道表面处于耗尽状态，时钟脉冲幅度选取适当。2023/1/318.2.CCD的结构与特性二相多晶硅栅极结构二相时钟的电极结构2023/1/312023/1/318.2.CCD的结构与特性二相时钟的脉冲波形单时钟脉冲二相CCD(a)φ2断开，(b)φ2开通2023/1/318.2.CCD的结构与特性二相驱动CCD的特点:电极本身必须设计成不对称性，在这种不对称电极下产生体内势垒，以保证电荷能定向运动。如：利用同一电极下不同氧化物厚度台阶和离子注入来产生体内势垒。二相时钟方法在结构上和时钟驱动上都简单，因为厚氧化层下面是阻挡势垒，不能存贮电荷，故能够存贮在势阱中的信号电荷量比三相时钟情况少。二相CCD结构可以采用工作模式驱动，即一个栅极电压加一定的直流偏压；另一个栅电极上加时钟脉冲。虽然此模式比一般二相方式脉冲摆幅大，但外为驱动电路简化，收到用户欢迎。2023/1/318.2.CCD的结构与特性四相CCD的电极结构四相电极结构CCD：奇数电极位于厚SiO2上，偶数电极位于薄SiO2上。因此在同一栅极电压下，偶数电极下面的耗尽层要深一些。2023/1/318.2.CCD的结构与特性四相CCD的电势分布与转移过程2023/1/318.2.CCD的结构与特性四相CCD工作状态与三相、二相器件相比，较为适合于工作时钟频率很高情况(100MHz)，此时的驱动波形接近正弦波。虚相CCD结构：可以看作是二相CCD的工作驱动模式的推广，即把保持直流电压的电极不做在栅氧化层上面，而是在栅氧化层下硅表面上注入一浅的P型层作阈值位移用。实际上是堆积在表面的薄空穴层对下面的埋沟起着“虚”栅的作用，这样驱动虚相CCD实际上只要有一个时钟相脉冲，从而大大简化驱动电路。虚相CCD对制造大型的，高分辨力像元面阵特别有利。

器件驱动电路的简化是以器件内部结构的复杂化为代价而得到的。2023/1/31埋沟CCD能带结构8.2.CCD的结构与特性体内(埋)沟道(埋沟CCD－BCCD)：通过在硅表面注入杂质，使之形成N型薄层，并在两端加上N＋层，起源、漏作用。埋沟CCD与表面CCD的区别:前者携带信息的电子是N层中的多子，而后者是P层中的少子表面CCD中的信号电荷集中在界面处很薄的反型层，而埋沟CCD信号电荷集中在体内z平面附近。埋沟CCD原理图2023/1/318.2.CCD的结构与特性埋沟CCD优于表面CCD的性能主要为：因信号电荷在体内存贮和转移，避开了界面态俘获信号的不良影响，所以转移失效率比表面CCD小1~2个数量级。由于各栅极电压间有较强的耦合，这种耦合随沟道加深而变强，从而增加了边缘电场。加之硅体内迁移率比表面高约一倍，故埋沟CCD工作频率较高，可在135MHz的时钟下工作。埋沟CCD的最大优点是噪声低，可工作在低照度下。埋沟CCD的主要缺点：信号处理容量小，比表面CCD小一个数量级。－解决方式：使用蠕动式CCD（P2CCD)结构。埋沟CCD结构2023/1/31三相二位CCD结构简图8.2.CCD的结构与特性输入输出结构信号电荷注入光注入：只要光敏区的光敏栅极施加正电压使栅极下产生耗尽势阱，则光敏区产生光生载流子被收集到势阱中，当转移栅为高电平时，信号电荷将从光敏区寄存器转移到水平移位寄存器，完成光注入。电注入：对CCD势阱电容注入电荷。通常由一个输入二极管，一个或几个输入控制栅来完成。最广泛常用的方法：电位平衡法。信号电荷输出2023/1/318.2.CCD的结构与特性电位平衡注入法电位平衡法：利用输入栅极G1表面势与存贮栅G2表面势来获得信号电荷：输入栅压G1保持恒定电压，输入信号加在G2上，开始输入二极管加低电位脉冲，此时，由于VG2>VD，故信号电荷注满G2势阱，随即升高二极管电位，使之处于强反偏状态，这样G2存贮势阱中多余的电荷则向二极管区倒流，直至G1与G2下面的表面势相等位置。电位平衡法注入信号电荷与相邻两栅极的电势差成正比，这样的电荷分为信号电荷和衬底电荷，注入到势阱的绝对电荷量不代表信号电荷，只有电荷量差值才是信号电荷。这个衬底电荷相当于“胖零”电荷。2023/1/318.2.CCD的结构与特性电流输出：常用反偏二极管，外加外放大器。电压输出：浮置扩散放大器输出，或浮置栅放大器输出。电流输出法结构浮置扩散放大器输出结构浮置栅放大器输出结构2023/1/318.2.CCD的结构与特性CCD的物理性能开启电压Vth：产生沟道所需的栅压，与SiO2层的电容有关，SiO2层约厚，该电容约小，开启电压越大。－SiO2层的厚度要适当。满势阱时信号电荷的容纳量：SCCD由SiO2层电容及相邻电极电位差决定；BCCD沟越深，存贮能力越低。2023/1/318.2.CCD的结构与特性CCD的物理性能工作频率：因CCD工作在非稳态，故工作频率有下限，如少子寿命为τe，转移所需时间为tr，时钟周期（CP)为T，对于三相CCD需使：因CCD电极有一定长度，电荷转移需要一定时间，加之CCD存在界面态，故工作频率有上限，对于前者：如转移所需时间为tr，时钟周期（CP)为T，对于三相CCD需使：对于后者：要求界面态俘获载流子的时间τc小于T/3，即：2023/1/318.2.CCD的结构与特性转移效率η：CCD一次电荷转移损失率为ε(t)，显然，转移效率与转移损失率之和为1，如电荷在CCD中经过多次转移，则总转移效率为：影响转移效率的主要因素：电荷转移速度：在时钟脉冲较低时，损失效率为常数，频率高时，损失率增大。界面态俘获：解决方法－“胖零”工作模式，通过用一定数量的基地电荷先将界面态填满，当信号电荷注入时，信号电荷被俘获的几率变小，而界面态释放出来的电荷又可以跟上原来的电荷包。从而在一定程度上减小了界面态带来的损失。－“0”信号时，也有基地电荷注入。极间势垒：解决方法：尽量减小极间距，采用高阻衬底。2023/1/318.2.CCD的结构与特性噪声：总的来讲，CCD为低噪声器件，其主要噪声来源：散粒噪声，转移噪声，热噪声。暗电流：以耗尽层的暗电流为主功耗：主要为片外功耗－低功耗器件。2023/1/318.3.CCD成像原理线阵CCD的工作原理：面阵CCD的工作原理：行间转移帧／场转移两种面阵CCD的比较：一些新型的面阵CCDCCD的性能指标2023/1/318.3.CCD成像原理线阵CCD摄像器件(a)单边传输(b)双边传输2023/1/318.3.CCD成像原理计数：计数器用来记录驱动周期的个数，N+m，考虑到“行回扫”的时间需要，采用过驱动，m为过驱动的次数。LCCD工作过程框图线阵CCD摄像器件2023/1/318.3.CCD成像原理LCCD工作波形2023/1/318.3.CCD成像原理线阵CCD的缺点：积累时间过短，每个像元，只有一行扫描时间的积累。转移沟道势阱分布(a)积分阶段(b)转移准备阶段(c)转移阶段(d)转移结束阶段2023/1/318.3.CCD成像原理行间转移结构行间转移面阵CCD摄像器件2023/1/318.3.CCD成像原理帧／场转移结构帧/场转移面阵CCD摄像器件2023/1/318.3.CCD成像原理两种面阵CCD的比较：分辨力：水平方向：ILT高；垂直方向：逐行扫描一样，隔行扫描ILT高。响应度（灵敏度）：FT光敏面大，水平方向宽于ILT，逐行扫描时FT灵敏度高，隔行扫描时：FT积分时间为一场，ILT积分时间为一帧，故总的响应度一致。噪声：FT光敏面大，故噪声大拖影：ILT转移次数小，拖影小应用：FT还可以通过减薄，实现背照摄影，在低照度摄像领域获得广泛应用2023/1/318.3.CCD成像原理一些新型CCD：混合CCD曲面CCDCCD混合焦平面原型压制在半径为175mm球面上的厚20μm的硅膜示意图2023/1/318.3.CCD成像原理一些新型CCD：直角转移CCDSuperCCD普通CCD与超级CCD比较2023/1/318.3.CCD成像原理－CCD成像性能指标灵敏度(响应度)：可表示为积分时间内单位面积的像元上响应的信号电荷数，也可表示为单位辐射功率所产生的光电流的多少，单位：mA/W分辨力：由像元数起决定性作用，注意：lp/mm与TVL的换算调制传递函数：几何传递函数、扩散传递函数及转移传递函数的乘积2023/1/318.3.CCD成像原理－CCD成像性能指标光谱响应：1)前照单层多晶硅，2)减薄后的背照明CCD，3)虚相的前照明CCD，4)双层结构前照明FT转移CCD几种CCD的光谱响应特性曲线前照式与背照式CCD的光谱响应曲线2023/1/318.3.CCD成像原理－CCD成像性能指标非均匀性：光响应的均方根偏差与响应的平均值的比值来表示动态范围：指势阱可存储的最大电荷量（输出的饱和电压）与暗场下噪声峰－峰值电压之比晕光：入射光信号局部较强，引起CCD局部区域出现过载荷情况，并向四周扩散到相邻势阱，导致显示器上出现一个白色区域向四周扩展的现象。信噪比：从视频信号输出测得，除探测器噪声还有扫描读出噪声的影响。2023/1/318.3.CCD成像原理－CCD成像性能指标抑制晕光的方法2023/1/318.3.CCD成像原理－CCD成像性能指标CCD的信号与噪声特性2023/1/318.4.增强型（微光）电荷耦合成像器件光学耦合的像增强型CCD（ICCD)电子轰击CCD(EBCCD）电子倍增CCD（EMCCD）时间延迟－积分（TDI阵列）2023/1/31光学耦合的像增强型CCD（ICCD)像增强器CCD摄像头中继透镜物镜像增强器CCD摄像头光纤(锥)面板物镜光锥耦合ICCD结构示意图光锥或光纤面板耦合IntensifiedCCD两个环节:像管实现图像增强CCD实现电视成像;两种耦合方式光学耦合光纤（锥）面板耦合光锥的优势－变放大率2023/1/31光学耦合的像增强型CCD（ICCD)X光透射成像系统典型结构2023/1/31光学耦合的像增强CCD（ICCD)2023/1/31光学耦合的像增强CCD（ICCD)2023/1/31光学耦合的像增强CCD（ICCD)提高了CCD的灵敏度提供了利用普通CCD在紫外、X光波段成像的可能提供了可选通成像的可能实现了微光图像、紫外成像的视频化，并为其进一步数字化提供了可能摄像器件不再是全固体的了！摄像器件的外形尺寸、体积重量明显加大！2023/1/31先说说BCCD技术BCCD通过背面照明来收集电荷，成像光子不需要通过多晶硅门电极进入CCD，克服了前照明CCD的性能限制。量子效率高：在可见区内可达90%，约为GaAs光阴极量子效率的500%。成像分辨力高－成像过程:光子电子,成像环节少；宽光谱响应：在850~1000nm内仍有很好的响应，而GaAs光阴极在900~1000nm内几乎无响应。在紫外和软X射线区域也接受成像辐射，带有抗反射涂层的背照明CCD在200nm波长处具有接近50%的量子效率，而前照明CCD的电极吸收了几乎所有的紫外光。2023/1/31电子轰击CCD（EBCCD）技术ElectronbombardmentCCD成像过程:光子光电子电子,用背照明CCD替换了像管中的荧光屏！也可理解为用背照明CCD替换了硅增强靶摄像管中的硅靶！2023/1/31电子轰击CCD（EBCCD）技术高增益：管电压为10kV时，增益为2000～3000,足以削弱或抵消CCD芯片上的噪声源(300个电子);单级EBCCD像管的阈值照度值约为5×10-5lx,为使它能与带MCP的二代管的ICCD竞争，可在EBCCD前耦合一代管，变成像增强I-EBCCD，使输入照度降到(5~10)×10-6lx。CCD光阴极2023/1/31电子轰击CCD（EBCCD）技术俄罗斯“Electron”公司与“Geosphera”公司合建EBCCD像管生产线,已有系列静电倒像管商品。美国“ScientificImagingTechnologies(SITe)”公司用各类BCCD构成近贴型EBCCD。并成功地应用于夜视电视摄像，皮秒条纹相机以及高能物理光纤探测器。国内南京电子器件研究所也制成了实物EBCCD2023/1/31电子轰击CCD（EBCCD）技术高灵敏度，高增益，低暗电流结构较ICCD紧凑工作寿命短！CCD在高速电子轰击下会产生辐射损伤，从而导致暗电流、漏电流增加，转移效率下降。摄像器件依然离不开真空环节！2023/1/31ICCD、BCCD和EBCCD的比较在一般的低光照条件下，BCCD的性能优于ICCD，鉴于郊外环境或乡村有月光等通常均是低光照环境，BCCD可能胜任大多数应用；光线再弱下去。。。2023/1/31ICCD、BCCD和EBCCD的比较512×512元近贴式和1024×1024元倒像式EBCCD由于理想的增益机构及极好的MTF特性，能圆满解决1×10-5lx以下的微光成像问题，无论是高光照或低光照条件下，性能已全面超过ICCD。2023/1/31电子倍增CCD(EMCCD)技术EMCCD倍增原理示意图电子倍增CCD(ElectronMultiplyingCCD)芯片的转移寄存器和输出放大器之间具有一个特殊的增益寄存器。2023/1/31电子倍增CCD(EMCCD)技术电离效应倍增电子示意图增益寄存器的结构和一般的CCD类似，只是电子转移第二阶段的势阱被一对电极取代，第一个电极上为固定值电压，第二个电极按标准时钟频率加上一个高电压(40V~50V)。通过两个电极之间高电压差形成对待转移信号电子的冲击电离形成了新的电子。由于大幅提高了输出信号的强度，使得CCD器件固有的读出噪声对于系统的影响减小。2023/1/31EMCCD，GenII（二代像增强器），GenIII（三代像增强器），ICCD量子效率示意图2023/1/31时间延迟－积分（TDI阵列）问题的提出线阵CCD要摄取二维平面图像，摄像机与景物之间必须相对运动运动速度v0和摄像机的积分时间ti决定着摄像系统在运动方向的最小可分辨尺寸dg(积分时间内摄像机通过光学系统在物平面上的投影）。dg

＝

v0

ti信号的幅值与积分时间成正比!垂直分辨力与积分时间成反比!显然，分辨力与信号幅值的乘积与积分时间无关。2023/1/31时间延迟－积分（TDI阵列）解决方案:使用面阵CCD，采用延迟－积分的方式，即可提高信号强度，又不影响分辨力。设该列阵为M行N列，沿列方向同景物相对运动，只要延迟时间和扫描速度一致，就可以把M行从同一景物单元接收到像敏元的信号积累起来，相当于对每一列来讲，每个像敏元的信号电荷量都增大了M倍，因此灵敏度提高了M倍，而几何分辨力不变。2023/1/31时间延迟－积分（TDI阵列）对于TDI模式应考虑两个效应：同步性：电荷包的平均转移速度要等于物在像平面的运动速度。分立电荷运动：像越过CCD各像元的速度是连续均匀的，CCD元件是分立的，电荷转移也是分立的，通过对MTF的计算，按照采样定理，可以导出，1，2，3，4相器件中，4相器件中电荷的运动更接近于连续。2023/1/318.5.CCD的应用2023/1/318.5.CCD的应用2023/1/318.5.CCD的应用2023/1/318.5.CCD的应用高光谱成像的基本概念示意2023/1/31嫦娥一号上的CCDCCD立体相机中国首幅月图由嫦娥一号卫星搭载的CCD立体相机采用线阵推扫的方式获取，轨道高度约200公里，每一轨的月面幅宽60公里，像元分辨率120米。2023/1/31“嫦娥一号”所用的CCD立体相机，在国内外首次提出采用一个大视场光学系统加一片大面阵CCD芯片，用一台相机取代三台相机的功能，实现了拍摄物的三维立体成像。立体相机在工作时，只采集三行CCD的输出，分别获取前视、正视、后视图像，随后进行处理形成立体图像。由于立体相机固定在卫星上不能自由转动，所以它只是随卫星与月球间的相对运动，对月球表面进行扫描成像。2023/1/31下图中，左图为第一轨原始数据（前视、正视、后视），右上图为三维立体模型，右下图为彩色编码的三维立体模型。2023/1/318.5.CCD的应用棋盘式滤色器的结构考虑到一般彩色电视接收机设计中，多利用人眼对红色和蓝色图像分辨力低的特点，采用棋盘格式更合理。在提高G信号的上限频率同时又能保持图像画面的彩色均匀性栅状滤色器结构摄像器对光信号的R、G、B分量用完全像等的采样频率fs，因而被采样的三种滤色光的上限频率必须限制在相同的fs/2数值以下。2023/1/318.5.CCD的应用两种棋盘式滤色器的基本结构每行只有两个滤色单元，G光的采样单元数是R光或B光的两倍。b)每行都有三个滤色单元，但G单元是隔列重复的，而R或B是隔三列重复，故G绿色单元的采样单元数还是是R光或B光的两倍。2023/1/318.5.CCD的应用适于行间扫描读出的滤色器Bayer滤色器每种色采样的垂直间距加大了一倍，但如果被摄物体的照度在水平方向的变化频率接近尼奎斯特频率，就会产生颜色失真。(如图，奇数列亮，偶数列暗）b)GCFS排列滤色器克服Bayer滤色器的缺点，保持G的位置，R和B的空间采样在奇偶场中进行交换，使得每列都有蓝色和红色，不会因水平空间频率的变化产生颜色失真。2023/1/318.5.CCD的应用单片式CCD彩色摄像机框图2023/1/318.5.CCD的应用三片式CCD彩色摄像机结构原理框图2023/1/318.5.CCD的应用采样频率相同，被采样信号带宽不同的两种采样信号的频谱分布CCD像元数确定后，其采样频率fs就已经确定。为保持采样后的信号不出现频率混淆，按尼奎斯特定律：输入光信号的上限空间频率fm应限制在fs/2之内。2023/1/318.5.CCD的应用空间像素错开法为了减弱频谱混淆在图像上的干扰，再进行图像中心重合调整时，使产生G信号的CCD摄像器与R摄像器及B摄像器在水平方向上错开L/2。2023/1/318.5.CCD的应用频谱混淆干扰的抵消采样后R、B信号与G信号调制在基波fe上的边带信号中的各相对应的频率分量都是相互反相的。对于R=G=B的黑白景物，存在2023/1/318.6.CMOS成像器件