LED芯片制程资料

LED芯片制程LED的发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）

式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。2．芯片：⑴芯片的结构：芯片的结构为五个部分，分别为正电极、负电极、P层、N层和PN结，如下图：PP電極P層P/N接合層N層N電極N層N電極单電極P电极P层P/N结合层N层刃N电询极费双电口极活⑵洪芯片妇的生甜产工丑艺：构（选１）疫长晶璃（C掘RY筒ST枯AL欧G疑RO驼WT脂H）渣：牛瞎葵吃长晶以是从络硅沙牛中(雷二氧狸化硅烫)提熄炼成坊单晶遥硅，下制造肠过旋程是荷将硅念石(乏Si岸li街ca粪)或叮硅酸罢盐

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