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文档简介

目录索引一、4F2+CBADRAM有打开备长间 5二、资议 8三、险示 8图表索引图1：DRAM业产迭代 5图2：Xtacking6图3：DRAM术线 6图4：NAND片技升级 7图5：DRAM片技升级 7一、存储代工模式迎来产业变革机会（存储晶圆逻辑晶圆图1：DRAM行业的产品迭代芯语在3DNANDXtackingBiCS3DNANDXtacking架构，通过将存储单元与逻辑电路分离设计与制造，再自六年前首次发布Xtacking技术以来，长江存储已将NAND的IO接口速度从最初的800MT/s3.6GT/s4图2：Xtacking技术Semiconductordigest在DRAM方面，未来DRAM芯片也有望借助CBA技术实现架构升级，CBA技术将存储阵列晶圆和逻辑控制单元晶圆分开制造，并在制造完成后通过熔融键合或混合键合等工艺将两片晶圆键合在一起，以实现系统整体的更优性能。例如，针对新一代DRAM，三星和SK海力士正在研发在不同晶圆上制造存储单元和外围电路，并通过混合键合将其连接，从而实现提高存储单元密度等优化。图3：DRAM技术路线Semiwiki-逻辑双晶圆堆叠进行架构升级的过程中，逻辑晶圆的制造可望在原本IDM助逻辑代工产业中的HKMG、FinFET等技术，进一步优化系统级性能。例如，三星在其第10代V-NAND中，使用其逻辑工艺在单独的晶圆上制造外围电路（包括行解码器、感应放大器、缓冲器、电压发生器、I/O）。图4：NAND芯片的技术升级TEL官网另一方面，SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E都是基于公司自身制程工艺制造了BaseHBM4BasedieIDM图5：DRAM芯片的技术升级TEL官网AIAI未来存储产业的新兴模式之一，以逻辑晶圆代工为特征的存储代工模式有望落地并快速发展从而更高效地改善半导体产品的性能、面积、成本和上市时间。随着该领域逐步实现技术落地和迭代更新，相关配套产业链有望充分受益。二、投资建议建议关注晶圆代工和上游半导体设备等相关公司。三、风险提示（一）市场需求不及预期若电子产品应用市场需求不及预期，相关公司产品销售可能受到影响，从而影响公司的经营表现。（二）技术研发不及预期电子行业相关产品研发的专业化程度较高，存在一定技术壁垒，技术开发难度和研发投入大，若新一代产品研发进度不及预期，相关公司的经营表现可能受到影响。（三）客户开拓不

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