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敬业创新勤奋求实模拟电子技术第1章半导体基础知识1.1半导体的基础知识 1.2半导体二极管 1.3半导体二极管应用电路1.4晶体三极管 1.5场效应管 1.6其他类型晶体管简介

1.1.1本征半导体导

体：容易导电绝缘体：不容易导电半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间

常用：硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs

核外有4个电子

半导体本征半导体杂质半导体

1.1.1本征半导体本征半导体：纯净的单晶半导体称为本征半导体。

在绝对零度且无光照射时，价电子不能摆脱共价键的束缚，这时本征半导体是不导电的。硅原子

锗原子

1.1.1本征半导体硅(锗)的晶格结构示意图共价键本征激发：成对产生自由电子和空穴有两种载流子导电：空穴带正电，电子带负电复合动态平衡温度一定时，自由电子—空穴对的浓度一定。温度升高或受光照时，载流子浓度增大常温下导电性能差

1.1.2杂质半导体杂质半导体：掺入其他物质。掺入五价杂质元素（如磷、砷、锑）

N型半导体

掺入三价杂质元素（如硼、铝、铟）

P型半导体

1.1.2杂质半导体N型半导体：自由电子多，整个半导体呈电中性。

杂质正离子不是载流子。晶格结构晶格结构P型半导体：空穴多，整个半导体呈电中性。

杂质负离子不是载流子。

1.1.2杂质半导体

导电性能主要取决于多子浓度。多子浓度主要由掺杂浓度决定，其值较大且稳定，故杂质半导体导电性能得到显著改善。 少子对杂质半导体导电性能也有影响，少子由本征激发产生，其大小随温度升高和光照而增大，故半导体器件对温度、光照敏感，在应用中要注意温度、光照对半导体器件及其电路性能的影响。

1.1.2杂质半导体

1.1.3

PN结及其特性扩散运动空间电荷区内电场阻碍扩散

动态平衡，形成PN结一、PN结的形成

1.1.3

PN结及其特性二、PN结的单向导电性Ｐ区接电源正极

Ｎ区接电源负极正偏导通Ｐ区接电源负极，

Ｎ区接电源正极反偏截止单向导电性正向电流IF

I扩散大反向饱和电流IR=I少子漂移很小

0

1.1.3

PN结及其特性PN结的伏安特性反向饱和电流常温下（T=300K）:UT=26mV三、PN结的反向击穿特性

1.1.3

PN结及其特性PN结未损坏，可逆。电击穿：热击穿：PN结烧毁，不可逆。

当加于PN结两

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