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文档简介

半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级锗、硅晶体中的杂质能级Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级缺陷、位错能级用拉普拉斯变换分析动态电路的基本步骤可归纳如下：

(1)写出描述动态电路的微分方程。

(2)对电路的微分方程进行拉普拉斯变换，获得复频域中的代数方程。

(3)解复频域中的代数方程，求出待求响应的象函数。

(4)对上面求得的象函数进行拉普拉斯反变换，即得待求的时域响应。

位错的形成原因：应力作用使得晶格发生畸变。位错类型：基本类型是刃型位错（棱位错）和螺型位错2.3.2位错2.3缺陷、位错能级2.3缺陷、位错能级螺型位错

刃型位错（棱位错）棱位错对半导体性能的影响：

1）位错线上的悬挂键可以接受电子变为负电中心，表现为受主；悬挂键上的一个电子也可以被释放出来而变为正电中心，此时表现为施主，即不饱和的悬挂键具有双性行为，可以起受主作用，也可以起施主作用。2）位错线处晶格变形，导致能带变形2.3.2位错2.3缺陷、位错能级3）位错线影响杂质分布均匀性4）位错线若接受电子变成负电中心，对载流子有散射作用。5）影响少子寿命，原因：一是能带变形，禁带宽度减小，有利于非平衡载流子复合；二是在禁带中产生深能级，促进载流子复合。2.3.2位错2.3缺陷、位错能级作业课后习题：1，2，3，5补充习题：1、掺杂技术在半导体中有哪些应用？并举例。2、

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