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文档简介

2025年全国计算机等级考试(NCRE)四级计算机组成与接口样题及参考答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1.某32位计算机采用小端方式存储,内存地址0x1000处开始存放一个32位无符号整数0x12345678,则地址0x1002处的字节内容是()A.0x12B.0x34C.0x56D.0x782.某CPU的指令格式中,操作码占6位,地址码占3个字段各8位,该指令系统最多支持()种不同操作,最大直接寻址范围是()(按字节编址)A.64;256BB.64;2^24BC.32;256BD.32;2^24B3.下列关于RISCV指令集的描述中,错误的是()A.采用固定长度32位指令格式B.所有运算指令的源操作数均来自寄存器C.支持大端和小端两种字节序D.基础整数指令集(RV32I)包含乘除法指令4.某计算机主存容量8GB,Cache容量64KB,块大小64字节,采用4路组相联映射。主存地址中,组号字段的位数是()A.6B.8C.10D.125.某指令流水线有5个阶段(取指、译码、执行、访存、写回),各阶段延迟分别为2ns、3ns、4ns、5ns、1ns。忽略流水段寄存器延迟,该流水线的最大吞吐率是()A.1/5nsB.1/4nsC.1/3nsD.1/2ns6.下列关于总线仲裁的描述中,正确的是()A.链式查询方式中,离控制器越近的设备优先级越低B.计数器定时查询方式中,设备地址与计数器值相等时获得总线使用权C.独立请求方式中,仲裁逻辑复杂度低但响应速度慢D.三种仲裁方式中,链式查询的总线带宽利用率最高7.某磁盘转速7200转/分,平均寻道时间8ms,每个磁道有512个扇区,每个扇区512字节。读取一个连续16KB的区域(跨2个磁道),平均访问时间约为()A.8ms+5000/7200ms+(16×1024)/(512×512)×(60/7200×1000)msB.8ms+(0.5×60/7200×1000)ms+(16×1024)/(512×512)×(60/7200×1000)msC.8ms×2+(0.5×60/7200×1000)ms+(16×1024)/(512×512)×(60/7200×1000)msD.8ms+(0.5×60/7200×1000)ms×2+(16×1024)/(512×512)×(60/7200×1000)ms8.下列关于I/O接口的描述中,错误的是()A.并行接口的数据传输速率通常高于串行接口B.USB接口支持即插即用和热插拔C.VGA接口采用数字信号传输图像D.SATA接口通过差分信号减少电磁干扰9.某计算机采用微程序控制,控制存储器容量1024×32位,微指令中操作控制字段采用直接编码,共30个微命令,顺序控制字段需表示后继微地址。则顺序控制字段的最小位数是()A.8B.10C.12D.1610.下列关于异常与中断的描述中,正确的是()A.缺页属于硬件中断B.断点中断(如调试用的INT3)属于异常C.所有中断都需要保存程序计数器(PC)D.异常处理完成后一定返回原程序继续执行二、填空题(每空2分,共20分)1.8位补码表示的整数范围是______,1的补码表示为______。2.某浮点数格式:阶码4位(含1位符号位)移码,尾数8位(含1位符号位)补码,基数为2。则该浮点数能表示的最大正数是______(用十进制表示),最小绝对值正数是______(用2的幂次表示)。3.某CPU地址总线36位,数据总线64位,按字节编址。该计算机的最大主存容量是______GB,若采用64M×8位的DRAM芯片构成主存,至少需要______片。4.某指令系统有16种操作类型,采用扩展操作码编码,若三地址指令(3×10位地址)有8种,则双地址指令最多可以有______种(地址字段长度不变)。5.DMA方式下,数据传输的三个阶段是:______、数据块传输、______。三、简答题(每题8分,共32分)1.简述指令流水线中结构冒险、数据冒险、控制冒险的产生原因及常用解决方法。2.比较动态随机存储器(DRAM)与静态随机存储器(SRAM)的存储原理、速度、容量及应用场景。3.说明I/O端口独立编址与统一编址的区别,列举两种采用独立编址的总线标准。4.某计算机主存与Cache采用全相联映射,Cache块大小64字节,Cache容量256KB,主存容量8GB。若采用LRU替换算法,需要为每个Cache行设置几位的替换位?若改用组相联(8路),组号字段需几位?说明组相联映射相比全相联的优缺点。四、综合题(第1题16分,第2题12分,共28分)1.某16位CPU的数据通路结构如下:通用寄存器R0R7(16位)算术逻辑单元ALU(支持加、减、与、或运算)指令寄存器IR(16位,其中OP占4位,源寄存器S占3位,目的寄存器D占3位,立即数Imm占6位)程序计数器PC(16位)主存地址寄存器MAR(16位),主存数据寄存器MDR(16位)现有指令“ADDD,S,Imm”(功能:R[D]=R[S]+Imm),请完成以下任务:(1)画出该指令在取指阶段和执行阶段的数据通路流程图(用箭头表示数据流动方向,标注关键寄存器和部件);(2)写出取指阶段的微操作序列(按顺序);(3)若Imm为带符号数,说明如何检测加法溢出,需哪些电路支持?2.某嵌入式系统需要连接一个8位并行I/O设备(输入/输出可选),要求:支持查询方式和中断方式两种数据传输;中断请求信号高电平有效,中断类型号为0x20(8位);I/O端口地址范围0x2000x203(4个端口)。(1)设计该I/O接口的逻辑结构(画出主要寄存器和控制逻辑);(2)说明各端口的功能分配(至少3个端口);(3)简述中断方式下,从设备发出中断请求到CPU响应中断的过程。参考答案一、单项选择题1.B2.B3.D4.C5.B6.B7.B8.C9.B10.B二、填空题1.128~+127;111111112.(12^7)×2^(2^31)=127×16=2032;2^15(阶码最小8,尾数最小正1.0×2^8→2^8×2^7=2^15)3.64(2^36B=64GB);8(64GB=64×1024MB=65536MB,每片64MB,65536/(64×8/8)=1024?计算错误,正确:主存总容量64GB=64×1024MB=65536MB;每片容量64M×8位=64MB;数据总线64位=8字节,每次访问8字节,故需要8片并联组成64位宽度。总片数=65536MB/64MB×8=(1024)×8=8192?原题可能简化为按字节编址,64位数据总线需8片并联(每片8位),总容量64GB=64×1024×1024KB,每片64M×8位=64MB=64×1024KB,故总片数=(64×1024×1024)/(64×1024)×8=1024×8=8192。但可能题目设计时取近似,正确应为64GB=2^36B,每片64M×8位=2^26×8位=2^26B(因8位=1B),故总片数=2^36/2^26×(64位/8位)=2^10×8=8192。但可能题目期望答案为64GB=64×1024MB,每片64MB,故需要(64×1024)/64=1024组,每组8片(64位),总片数1024×8=8192。但可能题目简化,正确填空应为64GB;8192。但可能原题参数不同,此处可能正确为:地址总线36位→2^36B=64GB;数据总线64位=8字节,每片8位,故每8片组成64位宽度。主存总容量64GB=64×1024MB=65536MB,每片容量64M×8位=64MB(因8位=1B),故需要65536/64=1024组,每组8片,总片数1024×8=8192。(注:可能题目设计时简化,正确填空应为64;8192)4.168=8种操作码用于三地址,剩余操作码扩展。三地址指令用4位操作码的前8种(00000111),剩余8种(10001111)可扩展为双地址指令。双地址指令操作码长度=4+10=14位?不,扩展操作码是在地址字段中扩展。三地址指令:操作码4位(假设),地址各10位。总指令长度=4+10×3=34位?可能题目中指令长度固定,假设为4(操作码)+3×10(地址)=34位,当使用双地址时,操作码扩展10位,故三地址用前8种(00000111),剩余8种(10001111)可扩展为双地址,每个扩展10位,故双地址指令数=8×2^10=8192?但题目可能假设指令长度固定为操作码+地址字段,三地址指令操作码占x位,双地址占x+10位。正确计算:总操作码空间为2^N,N为操作码总位数。假设指令长度固定为L=操作码长度+3×地址长度。设三地址指令操作码长度为a,则a+3×10=L。双地址指令操作码长度为a+10(利用一个地址字段扩展),故三地址指令数≤2^a,剩余操作码数=2^a8,每个剩余操作码可扩展为2^10种双地址指令。题目中三地址有8种,故2^a≥8→a≥3。假设a=4(操作码4位),则剩余2^48=8种操作码,每个扩展10位,双地址指令数=8×2^10=8192。但题目可能期望简单扩展,答案为(168)×2^10=8×1024=8192?但可能题目中操作码总位数固定,正确答案为8×2^10=8192。(注:可能题目设计时简化,正确填空为8192)5.初始化(或预处理);后处理(或结束处理)三、简答题1.结构冒险:因硬件资源冲突(如同一时钟周期需访问同一存储部件),解决方法:增加资源(如指令Cache和数据Cache分离)、暂停流水线(插入气泡)。数据冒险:因后续指令依赖前面指令的结果未完成,解决方法:数据旁路(转发)、暂停流水线(插入NOP)、重排指令顺序。控制冒险:因分支指令等改变PC值导致流水线预取错误,解决方法:分支预测(静态/动态)、延迟分支(调度分支指令后的无关指令填充)、流水线冲刷(清空错误预取的指令)。2.存储原理:SRAM利用触发器存储(6管),无需刷新;DRAM利用电容存储电荷(1管+电容),需周期性刷新。速度:SRAM更快(ns级),DRAM较慢(约10倍)。容量:SRAM集成度低(相同工艺下容量小),DRAM集成度高(容量大)。应用场景:SRAM用于Cache;DRAM用于主存。3.独立编址:I/O端口与主存地址空间独立,使用专用I/O指令(如IN/OUT),需I/O控制信号;统一编址:I/O端口与主存共享地址空间,使用访存指令访问,无需专用I/O指令。独立编址总线标准:x86的ISA总线、PCI总线(部分实现)。4.全相联Cache行数=256KB/64B=4096行,LRU替换需为每行记录访问顺序,4096行需log2(4096)=12位替换位(记录最近访问顺序,实际用计数器或比较器,此处简化为每行需记录被访问的顺序,4096行需12位)。组相联8路:组数=256KB/(64B×8)=512组,组号字段=log2(512)=9位。优点:比全相联减少替换逻辑复杂度,比直接映射降低冲突率;缺点:比全相联命中率略低,比直接映射需要更多比较电路。四、综合题1.(1)取指阶段流程:PC→MAR→主存→MDR→IR;PC+1→PC(假设指令长度16位,按字编址)。执行阶段流程:R[S]→ALU左输入;Imm→ALU右输入;ALU加法→结果→MDR→R[D](或直接→R[D],视数据通路设计)。(2)取指微操作:①PC→MAR;②主存读(MAR内容);③主存数据→MDR;④MDR→IR;⑤PC+1→PC(或PC=PC+1)。(3)溢出检测:Imm和R[S]均为16位带符号数(补码),加法结果若符号位进位与最高数值位进位不同则溢出。需ALU提供进位输出(C_out)和最高位进位(C_in),通过异或门检测溢出(V=C_out⊕C_in)。2.(1)接口结构:包含数据寄存器(8位,输入/输出缓冲)、状态寄存器(含“输入准备好”“输出缓冲空”标志)、控制寄存器(选择输入/输出模式、中断使能)、中断请求逻辑(状态标志与中断使能相与后产生高电平请求)、地址译码器(0x2000x203)。(2)端口分配:0x200:数据端口(输入时读,输出时写);0x201:状态端口(读时获取“输入准备好

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