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文档简介

硅稳压二极管1 硅稳压二极管特点a. 正向特性与普通管一样稳压管通常工作于反向电击穿状态伏安特性+iZuZuZQBAOUZiZIZUZIZ符号b. 反向击穿特性很陡2. 硅稳压管的主要电参数(1) 稳定电压UZ(2) 动态电阻(3) 最大允许工作电流IZM(4) 最大允许功率耗散PZM(5) 温度系数uZQBAOUZiZIZUZIZ温度每变化1C时UZ的相对变化率。即UZ 6V管子出现雪崩击穿，U 为正；UZ 4V 出现齐纳击穿，U 为负;4V UZ 03U=0U0)PN+PN结变宽空间电荷层中的电荷量增大b. 当PN结正向偏置电压降低时可见，空间电荷量随着PN结偏置电压的变化而变化。这种电容效应用势垒电容CB表征。U-U (U0)PN+小结PN结结电容CjCj = CD + CB 当PN结正偏时当PN结反偏时变容二极管的特点b. 电容量与所加的反向偏置电压的大小有关。a. 当二极管反向偏置时，因反向电阻很大，可作电容使用。变容二极管的符号及CU 特性曲线符号20240608010004681012uDCCU 特性曲线2. 变容二极管及其应用示例谐振频率式中高频放大器LC1DCR+V+UDu

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