东莞理工学院《高分子材料分析与测试》2023-2024学年第二学期期末试卷

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《高分子材料分析与测试》2023-2024学年第二学期期末试卷题号一二三四总分得分一、单选题（本大题共15个小题，每小题1分，共15分．在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的．）1、复合材料的性能测试方法有很多种，那么常见的复合材料性能测试方法有哪些？（）A.力学性能测试、热性能测试、电学性能测试B.光学性能测试、磁性能测试、耐腐蚀性测试C.界面性能测试、疲劳性能测试、磨损性能测试D.以上都是2、在研究材料的热膨胀性能时，热膨胀系数是一个重要的参数。对于大多数陶瓷材料，其热膨胀系数与金属材料相比，通常是怎样的？（）A.较大B.较小C.相当D.无法比较3、纳米材料的制备方法有多种，如物理气相沉积、化学气相沉积等。对于制备纳米金属粉末，以下哪种方法更常用？（）A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.溶胶-凝胶法D.机械球磨法4、对于一种用于激光加工的光学材料，要求其具有高的损伤阈值和良好的光学均匀性。以下哪种材料最有可能符合要求？（）A.蓝宝石B.石英玻璃C.氟化钙D.以上都是5、在考察材料的热变形行为时，发现一种材料在高温下表现出明显的蠕变现象。以下哪种因素会增加材料的蠕变速率？（）A.降低应力B.提高温度C.减小晶粒尺寸D.增加第二相粒子6、在材料的腐蚀防护方法中，涂层防护是一种常用的手段。以下哪种涂层能够提供较好的防腐效果？（）A.有机涂层B.无机涂层C.金属涂层D.复合涂层7、对于一种泡沫材料，其密度较低但具有一定的强度和隔热性能。以下哪种发泡方法最有可能制备出这种材料？（）A.化学发泡B.物理发泡C.机械发泡D.以上方法均可8、一种高分子材料在加工过程中出现了熔体破裂现象。以下哪种因素最有可能导致这种现象的发生？（）A.加工温度过高B.剪切速率过大C.分子量分布过宽D.添加剂含量过高9、在考察一种用于储氢的金属材料时，发现其储氢容量较低。以下哪种方法可以有效地提高储氢容量？（）A.形成合金B.纳米化处理C.引入催化活性位点D.以上都是10、在分析材料的光催化性能时，发现一种材料能够有效地分解水产生氢气。以下哪种材料特性对其光催化效率的影响最大？（）A.能带结构B.表面形貌C.晶体结构D.化学成分11、陶瓷材料的硬度通常很高，那么常用的陶瓷材料硬度测试方法有哪些？（）A.洛氏硬度测试、维氏硬度测试B.布氏硬度测试、肖氏硬度测试C.显微硬度测试、纳米硬度测试D.以上都是12、研究一种磁性材料，其磁性能在不同温度下有明显变化。当温度升高到居里温度时，磁性材料会发生以下哪种转变？（）A.从铁磁性转变为顺磁性B.从顺磁性转变为抗磁性C.从铁磁性转变为反铁磁性D.磁性消失13、一种高分子共混物在性能上优于其组成的单一聚合物。以下哪种因素对共混物性能的改善起到了关键作用？（）A.相容性B.分子量C.分子链结构D.结晶度14、在研究材料的热膨胀性能时，发现以下哪种晶体结构的材料热膨胀系数较小？（）A.简单立方B.体心立方C.面心立方D.密排六方15、对于一种磁性薄膜材料，要提高其磁存储密度，以下哪种方法可能有效？（）A.减小薄膜厚度B.优化磁畴结构C.提高矫顽力D.以上都有可能二、简答题（本大题共4个小题，共20分)1、（本题5分）论述金属材料的强化机制，包括固溶强化、细晶强化、加工硬化等，并说明其强化原理。2、（本题5分）在研究材料的摩擦学性能时，摩擦系数和磨损率是重要的参数。解释摩擦系数和磨损率的概念，分析影响它们的因素，并举例说明在不同工况下如何选择合适的减摩和耐磨材料。3、（本题5分）详细阐述材料的声学性能，包括吸声、隔声和消声等，说明声学性能与材料结构和成分的关系，以及在噪声控制中的应用。4、（本题5分）深入探讨材料的生物相容性，分析生物材料在人体内的作用和要求，讨论影响生物相容性的因素，以及如何评价和提高材料的生物相容性。三、论述题（本大题共5个小题，共25分)1、（本题5分）详细论述金属玻璃的结构和性能特点，研究其形成机制和制备方法，以及在高性能结构材料和功能材料中的应用前景。2、（本题5分）论述材料的多铁性材料的性能和应用，分析多铁性材料中磁电耦合效应的机制和调控方法，并探讨在传感器和存储器件中的应用。3、（本题5分）全面论述材料的阻尼性能及其应用，分析高阻尼材料的阻尼机制和结构特点，以及在减震降噪领域的应用实例。4、（本题5分）分析材料的导热性能测试方法及其误差来源，包括稳态法和瞬态稳态方面。5、（本题5分）详细论述光电材料在太阳能电池中的应用原理和关键性能指标，以及提高光电转换效率的研究热点和技术途径。四、计算题（本大题共4个小题，共40分)1、（本题10分）某陶瓷材料的热膨胀系数为5×10⁻⁶/℃，从50℃冷却到-20℃，原长度为80cm，计算收缩量。2、（本题10分）一块正方形的硅片，边长为10cm，厚度为0.5mm，硅的密度为2.33g/cm³，计算硅片的质量。若要在硅片上制作集成电路，线条最小宽度为0.